MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 1.2 mΩ, 253 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IQE006NE2LM5CGATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
242-0307
Codice costruttore:
IQE006NE2LM5CGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

253A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

IQE

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.73V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS 5 Infineon è un MOSFET a canale N dotato di placcatura del conduttore senza piombo ed è conforme a RoHS. È testato al 100% a valanga.

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

Completamente qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni industriali

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