MOSFET Nexperia, canale N, 500 A, LFPAK88, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N Nexperia in modalità di potenziamento, in contenitore LFPAK88, offre una corrente continua di 500 Amp, con pilotaggio del gate a livello standard. La famiglia Next Power S3, che utilizza l'esclusiva tecnologia "Schottky Plus" di Nexperia, offre un'elevata efficienza e prestazioni a basso picco solitamente associate ai MOSFET con un diodo Schottky o simil-Schottky integrato, ma senza la problematica corrente di dispersione elevata. Next Power S3 è particolarmente adatto ad applicazioni ad alta efficienza con frequenze di commutazione elevate, nonché a commutazioni sicure e affidabili con correnti di carico importanti.

Attacco con clip in rame e stampo a saldare per una bassa induttanza e resistenza del contenitore e un elevato valore nominale ID (max)
Sostituzione ideale per i contenitori D2PAK e per quelli senza piombo da 10 x 12 mm
Qualificato fino a 175 °C
Conforme ai requisiti UL2595 per creepage e clearance
Classificato e testato al 100% come a valanga
QG, QGD e QOSS bassi per un'elevata efficienza, soprattutto alle frequenze di commutazione più elevate
Commutazione ultraveloce con recupero morbido del diodo corpo per un basso livello di disturbi e risonanza, consigliato per progetti a bassa EMI

Controllo di motori CC senza spazzole
Raddrizzatore sincrono in applicazioni CA-CC ad alta potenza, ad es. alimentatori per server
Protezione della batteria e sistemi di gestione della batteria (BMS)
eFuse e interruttore di carico
Hotswap / gestione della corrente di spunto