MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie BSC0901NSATMA1
- Codice RS:
- 244-1555
- Codice costruttore:
- BSC0901NSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-1555
- Codice costruttore:
- BSC0901NSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 381A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 381A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie BSC, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 381 A - BSC0901NSATMA1
Questo MOSFET è un interruttore a semiconduttore a canale N progettato per la conversione di potenza ad alta corrente e le applicazioni a montaggio superficiale su schede compatte. Funziona su un'ampia gamma di temperature ed è adatto nei casi in cui sono richieste prestazioni drain-source robuste e gate drive controllato.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione massima da drain a sorgente di 40 V consente le fasi di potenza a media tensione
• La corrente di drenaggio continua 381 A supporta l'erogazione di corrente elevata
• La bassa Rds(on) di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione a carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 81 W consente una gestione termica sostanziale
• La carica di gate tipica di 80 nC consente un'energia di commutazione prevedibile
• Il valore nominale gate di 20 V fornisce un ampio margine di azionamento gate per il controllo
• La corrente di drenaggio continua 381 A supporta l'erogazione di corrente elevata
• La bassa Rds(on) di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione a carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 81 W consente una gestione termica sostanziale
• La carica di gate tipica di 80 nC consente un'energia di commutazione prevedibile
• Il valore nominale gate di 20 V fornisce un ampio margine di azionamento gate per il controllo
Applicazioni
• Adatto per le fasi di commutazione primarie del convertitore CC-CC
• Ideale per moduli di conversione di potenza ad alta corrente
• Utilizzato con assemblaggi a montaggio superficiale che richiedono MOSFET compatti
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Adatto per circuiti di gestione delle batterie ad alta corrente
• Ideale per moduli di conversione di potenza ad alta corrente
• Utilizzato con assemblaggi a montaggio superficiale che richiedono MOSFET compatti
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Adatto per circuiti di gestione delle batterie ad alta corrente
Entro quale intervallo di temperatura può operare?
Funziona da -55 °C a +150 °C, adattandosi ad ambienti termici estremi.
Quale contenitore viene utilizzato per il montaggio su circuiti stampati compatti?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale SuperSO8 da 5 x 6 mm per layout densi.
In che modo la carica del gate influisce sulla progettazione della commutazione?
La carica di gate di 80 nC definisce l'energia di azionamento e influisce sulle perdite di commutazione e sulle dimensioni del driver.
Qual è la tensione diretta durante la conduzione?
La tensione diretta è specificata a 1 V, indicando la sua caduta di conduzione in condizioni definite.
Esistono approvazioni specifiche o standard ambientali?
È conforme ai requisiti RoHS per le sostanze soggette a restrizioni.
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