MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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Codice RS:
244-1553
Codice costruttore:
BSC0901NSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

381A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie BSC, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 381 A - BSC0901NSATMA1


Questo MOSFET è un interruttore a semiconduttore a canale N progettato per la conversione di potenza ad alta corrente e le applicazioni a montaggio superficiale su schede compatte. Funziona su un'ampia gamma di temperature ed è adatto nei casi in cui sono richieste prestazioni drain-source robuste e gate drive controllato.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione massima da drain a sorgente di 40 V consente le fasi di potenza a media tensione
• La corrente di drenaggio continua 381 A supporta l'erogazione di corrente elevata
• La bassa Rds(on) di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione a carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 81 W consente una gestione termica sostanziale
• La carica di gate tipica di 80 nC consente un'energia di commutazione prevedibile
• Il valore nominale gate di 20 V fornisce un ampio margine di azionamento gate per il controllo

Applicazioni


• Adatto per le fasi di commutazione primarie del convertitore CC-CC
• Ideale per moduli di conversione di potenza ad alta corrente
• Utilizzato con assemblaggi a montaggio superficiale che richiedono MOSFET compatti
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Adatto per circuiti di gestione delle batterie ad alta corrente

Entro quale intervallo di temperatura può operare?


Funziona da -55 °C a +150 °C, adattandosi ad ambienti termici estremi.

Quale contenitore viene utilizzato per il montaggio su circuiti stampati compatti?


È fornito in un contenitore a montaggio superficiale SuperSO8 da 5 x 6 mm per layout densi.

In che modo la carica del gate influisce sulla progettazione della commutazione?


La carica di gate di 80 nC definisce l'energia di azionamento e influisce sulle perdite di commutazione e sulle dimensioni del driver.

Qual è la tensione diretta durante la conduzione?


La tensione diretta è specificata a 1 V, indicando la sua caduta di conduzione in condizioni definite.

Esistono approvazioni specifiche o standard ambientali?


È conforme ai requisiti RoHS per le sostanze soggette a restrizioni.

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