MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ, 52 A, 3 Pin, TO-247, Superficie AIMW120R045M1XKSA1
- Codice RS:
- 244-2910
- Codice costruttore:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
21,60 €
(IVA esclusa)
26,35 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 610 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 21,60 € |
| 5 - 9 | 20,52 € |
| 10 - 24 | 20,09 € |
| 25 - 49 | 18,79 € |
| 50 + | 17,71 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-2910
- Codice costruttore:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 52A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 57nC | |
| Tensione diretta Vf | 5.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 21.5 mm | |
| Lunghezza | 16.3mm | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 52A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 57nC | ||
Tensione diretta Vf 5.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 21.5 mm | ||
Lunghezza 16.3mm | ||
Altezza 5.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon AIMW120R045M1XKSA1 è progettata specificamente per soddisfare gli elevati requisiti richiesti dall'industria automobilistica in termini di affidabilità, qualità e prestazioni. L'aumento della frequenza di commutazione per un convertitore che utilizza MOSFET CoolSiC™ può portare a un volume e un peso notevolmente ridotti dei componenti magnetici fino al 25%, il che produce un significativo aumento dei costi dell'applicazione stessa. Il guadagno in termini di prestazioni soddisfa i nuovi standard normativi in termini di requisiti di efficienza più elevati per i veicoli elettrici.
Rivoluzionario materiale semiconduttore - carburo di silicio perdite di commutazione molto basse
Caratteristica di stato on senza soglia tensione di pilotaggio compatibile con IGBT (15V per accensione)
Tensione gate di spegnimento 0V
Tensione di soglia gate di riferimento, VGS(th)=4,5 V.
Completamente controllabile dv/dt
Diodo corpo robusto a commutazione, pronto per rettifica sincrona, perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura
Link consigliati
- MOSFET Infineon 3 mΩ 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3 mΩ P 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3 mΩ N 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3 mΩ N 3 Pin Superficie IMW120R140M1HXKSA1
- MOSFET Infineon 3 mΩ N 3 Pin Superficie IMW120R030M1HXKSA1
- MOSFET Infineon 3 mΩ N 3 Pin Superficie IMW120R040M1HXKSA1
- MOSFET Infineon 3 mΩ N 3 Pin Superficie IMW120R020M1HXKSA1
- MOSFET Infineon 3 mΩ P 3 Pin Superficie IMW120R090M1HXKSA1
