MOSFET Infineon, canale N, 52 A, TO-247, Su foro

Infineon AIMW120R045M1XKSA1 è progettata specificamente per soddisfare gli elevati requisiti richiesti dall'industria automobilistica in termini di affidabilità, qualità e prestazioni. L'aumento della frequenza di commutazione per un convertitore che utilizza MOSFET CoolSiC™ può portare a un volume e un peso notevolmente ridotti dei componenti magnetici fino al 25%, il che produce un significativo aumento dei costi dell'applicazione stessa. Il guadagno in termini di prestazioni soddisfa i nuovi standard normativi in termini di requisiti di efficienza più elevati per i veicoli elettrici.

Rivoluzionario materiale semiconduttore - carburo di silicio  perdite di commutazione molto basse
Caratteristica di stato on senza soglia  tensione di pilotaggio compatibile con IGBT (15V per accensione)
Tensione gate di spegnimento 0V
Tensione di soglia gate di riferimento, VGS(th)=4,5 V.
Completamente controllabile dv/dt
Diodo corpo robusto a commutazione, pronto per rettifica sincrona, perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura