MOSFET Infineon, canale N, 56 A, TO-247, Su foro

Il MOSFET Infineon IMW120R030M1HXKSA1 in confronto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi. Questi includono la carica di gate più bassa e i livelli di capacità del dispositivo visti negli interruttori a 1200 V, nessuna perdita di recupero inverso del diodo corpo a prova di commutazione interna, basse perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura, e caratteristica di stato attivo senza soglia.

Perdite di commutazione molto basse
Caratteristica di stato on senza soglia
Ampia gamma di tensione gate-source
Tensione di soglia gate di riferimento, VGS(th) = 4,5 V.
Tensione gate di spegnimento 0V per un gate drive facile e semplice
DV/dt completamente controllabile
Diodo robusto per la commutazione rigida
Perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura