MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ N, 52 A, 3 Pin, TO-247, Superficie IMW120R140M1HXKSA1
- Codice RS:
- 244-2926
- Codice costruttore:
- IMW120R140M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 244-2926
- Codice costruttore:
- IMW120R140M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 52A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Serie | IMW | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 52A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Serie IMW | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon IMW120R140M1HXKSA1 in contenitore TO247-3 si basano su un processo all'avanguardia con semiconduttore Trench ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi. Questi includono la carica di gate più bassa e i livelli di capacità del dispositivo visti negli interruttori a 1200 V, nessuna perdita di recupero inverso del diodo corpo a prova di commutazione interna, basse perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura, e caratteristica di stato attivo senza soglia.
Perdite di commutazione molto basse
Caratteristica di stato on senza soglia
Ampia gamma di tensione gate-source
Tensione di soglia gate di riferimento, VGS(th) = 4,5 V.
Tensione gate di spegnimento 0V per un gate drive facile e semplice
DV/dt completamente controllabile
Diodo robusto per la commutazione rigida
Perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura