MOSFET Infineon, canale N 75 V, 3 mΩ P, 52 A, 3 Pin, TO-247, Superficie IMW120R090M1HXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-2924
Codice costruttore:
IMW120R090M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

IMW

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

P

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon IMW120R090M1HXKSA1 in contenitore TO247-3 si basano su un processo all'avanguardia con semiconduttore Trench ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi. Questi includono la carica di gate più bassa e i livelli di capacità del dispositivo visti negli interruttori a 1200 V, nessuna perdita di recupero inverso del diodo corpo a prova di commutazione interna, basse perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura, e caratteristica di stato attivo senza soglia.

Perdite di commutazione molto basse

Caratteristica di stato on senza soglia

Ampia gamma di tensione gate-source

Tensione di soglia gate di riferimento, VGS(th) = 4,5 V.

Tensione gate di spegnimento 0V per un gate drive facile e semplice

DV/dt completamente controllabile

Diodo robusto per la commutazione rigida

Perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura

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