MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ N, 58 A, 5 Pin, DFN, Foro passante NTMFS6H824NT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-9187
Codice costruttore:
NTMFS6H824NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NTM

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La tensione da drain a source del MOSFET on Semiconductor è di 60 V e da gate−a−−è di−±20 V.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Questi dispositivi sono privi di piombo−e sono conformi alla direttiva RoHS

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