MOSFET onsemi, canale N, 142 A, DFN5, Montaggio superficiale

Il MOSFET on Semiconductor è utilizzato come interruttore primario in convertitore c.c./c.c. isolato, rettifica sincrona (SR) in c.c.−c.c. e c.a.−c.c., adattatori c.a.−−c.c. (USB PD) SR, interruttore di distribuzione di carico, hot swap, interruttore o-ring, motore BLDC e inverter solare. La tensione da drain a source e da gate a−−a source per questo MOSFET è rispettivamente di 100 V e−−±20 V.

Tecnologia MOSFET a gate schermato
Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione
Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver
QRR basso, diodo corpo a recupero dolce
QOSS basso per migliorare l'efficienza del carico leggero
Questi dispositivi sono senza piombo−, alogeni o BFR, al berillio e sono conformi alla direttiva RoHS