MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ N, 58 A, 5 Pin, DFN-5, Foro passante NTMFS3D2N10MDT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-9183
Codice costruttore:
NTMFS3D2N10MDT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

DFN-5

Serie

NTM

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET on Semiconductor è utilizzato come interruttore primario in convertitore c.c./c.c. isolato, rettifica sincrona (SR) in c.c.−c.c. e c.a.−c.c., adattatori c.a.−−c.c. (USB PD) SR, interruttore di distribuzione di carico, hot swap, interruttore o-ring, motore BLDC e inverter solare. La tensione da drain a source e da gate a−−a source per questo MOSFET è rispettivamente di 100 V e−−±20 V.

Tecnologia MOSFET a gate schermato

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

QRR basso, diodo corpo a recupero dolce

QOSS basso per migliorare l'efficienza del carico leggero

Questi dispositivi sono senza piombo−, alogeni o BFR, al berillio e sono conformi alla direttiva RoHS

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