MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ Miglioramento, 58 A, 5 Pin, DFN-5, Foro passante NTMFS002N10MCLT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
248-5822
Codice costruttore:
NTMFS002N10MCLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NTM

Tipo di package

DFN-5

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET ON Semiconductor è un MOSFET a canale N con tensione di drenaggio-sorgente da 100 V, RDS(ON) 2,8 mohm e corrente di drenaggio continua da 175 A. Inoltre, questi dispositivi sono senza piombo, senza alogeni/senza BFR, senza berillio e sono conformi alla direttiva RoHS.

Ingombro ridotto (5 x 6 mm) per un design compatto

Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione

Basso QG e capacità per ridurre al minimo le perdite di azionamento

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