Modulo di potenza SiC Littelfuse, canale Tipo N 12 V, 90 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, TO-268, Superficie IXFT60N60X3HV
- Codice RS:
- 245-7012
- Codice costruttore:
- IXFT60N60X3HV
- Costruttore:
- Littelfuse
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 245-7012
- Codice costruttore:
- IXFT60N60X3HV
- Costruttore:
- Littelfuse
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Littelfuse | |
| Tipo prodotto | Modulo di potenza SiC | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 36A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Tipo di package | TO-268 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 90mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 446W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Littelfuse | ||
Tipo prodotto Modulo di potenza SiC | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 36A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Tipo di package TO-268 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 90mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 446W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo prodotto Littelfuse è un MOSFET a giunzione Ultra classe 600V X3 disponibile in contenitore 60A con corrente nominale e TO 247. Questi MOSFET di potenza sono dotati di una resistenza del canale significativamente ridotta RDS on e Qg di carica del gate. Presentano le cifre più basse di merito RDS su Qg e RDS on . Questi vantaggi consentono ai progettisti di ottenere una maggiore efficienza utilizzando una struttura termica semplificata. Questa serie HiPerFET di MOSFET di potenza è dotata di diodi corpo che offrono una bassa carica di recupero inverso e un breve tempo di recupero inverso.
Basse perdite statiche
Particolarmente adatto per applicazioni ad alta frequenza
Design termico semplificato
Elevata robustezza contro la sovratensione
Bassa richiesta di potenza dello stadio pilota
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