MOSFET DiodesZetex, canale N, 0.034 Ω, 7 A 20 V, TSOT-26, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 246-6790
- Codice costruttore:
- DMN2024UVTQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 3000 unità, in una bobina da 3000*
426,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,142 € | 426,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-6790
- Codice costruttore:
- DMN2024UVTQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | TSOT-26 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.034Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package TSOT-26 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.034Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità potenziata a canale N, progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore TSOT26. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 20 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±10 V. Il contenitore termicamente efficiente è ideale per le applicazioni con funzionamento più freddo. Offre una bassa capacità di ingresso
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