MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N, 0.034 Ω 20 V, TSOT-26, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMN2024UVTQ-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7509
Codice costruttore:
DMN2024UVTQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

TSOT-26

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.034Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità potenziata a canale N, progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore TSOT26. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 20 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±10 V. Il contenitore termicamente efficiente è ideale per le applicazioni con funzionamento più freddo. Offre una bassa capacità di ingresso

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