MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.035 Ω, 4.6 A 20 V, TSOT-26, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
222-2826
Codice costruttore:
DMN2053UVTQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

TSOT-26

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.035Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.7V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.1W

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET doppio in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

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