MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.035 Ω, 4.6 A 20 V, TSOT-26, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMN2053UVTQ-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-2827
Codice costruttore:
DMN2053UVTQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

DMN

Tipo di package

TSOT-26

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.035Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.6nC

Tensione diretta Vf

0.7V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET doppio in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

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