MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 45 V, 62 mΩ Miglioramento, 4.8 A, 6 Pin, TSOT, Superficie DMN4060SVT-7
- Codice RS:
- 770-5137
- Codice costruttore:
- DMN4060SVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 770-5137
- Codice costruttore:
- DMN4060SVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 45V | |
| Serie | DMN | |
| Tipo di package | TSOT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 62mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22.4nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.8W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.6 mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 45V | ||
Serie DMN | ||
Tipo di package TSOT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 62mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22.4nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.8W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.6 mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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