MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 0.1 Ω Miglioramento, 4 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Superficie
- Codice RS:
- 246-6813
- Codice costruttore:
- DMN6069SFVW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
288,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,144 € | 288,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-6813
- Codice costruttore:
- DMN6069SFVW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | DMN | |
| Tipo di package | PowerDI3333-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.1Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Larghezza | 2 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2.7mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie DMN | ||
Tipo di package PowerDI3333-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.1Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 0.85mm | ||
Larghezza 2 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2.7mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 60 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Offre un piccolo fattore di forma e un contenitore termicamente efficiente che consente prodotti finali a densità più elevata Offre un piccolo fattore di forma termicamente efficiente che consente prodotti finali a densità più elevata Fianco bagnabile per ispezioni ottiche migliorate
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