MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 0.1 Ω Miglioramento, 4 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

288,00 €

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352,00 €

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Codice RS:
246-6813
Codice costruttore:
DMN6069SFVW-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMN

Tipo di package

PowerDI3333-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

0.85mm

Larghezza

2 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.7mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 60 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Offre un piccolo fattore di forma e un contenitore termicamente efficiente che consente prodotti finali a densità più elevata Offre un piccolo fattore di forma termicamente efficiente che consente prodotti finali a densità più elevata Fianco bagnabile per ispezioni ottiche migliorate

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