MOSFET DiodesZetex, canale N, 0.1 Ω, -25 +70 °C, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale

DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 60 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Offre un piccolo fattore di forma e un contenitore termicamente efficiente che consente prodotti finali a densità più elevata Offre un piccolo fattore di forma termicamente efficiente che consente prodotti finali a densità più elevata Fianco bagnabile per ispezioni ottiche migliorate