MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 30 V, 0.025 Ω Miglioramento, 9 A, 8 Pin, PowerDI5060-8, Superficie DMT36M1LPS-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7552
Codice costruttore:
DMT36M1LPS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerDI5060-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.025Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.15 mm

Lunghezza

6.15mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI5060-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È dotato di un eccellente prodotto Qgd xRDS(ON) (FOM) e di una tecnologia avanzata per la conversione c.c.-c.c.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 30 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Offre un fattore di forma termico ridotto e il contenitore efficiente consente prodotti finali a densità più elevata Occupa solo il 33% dell'area della scheda occupata da SO-8 consentendo prodotti finali più piccoli

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