- Codice RS:
- 246-6879
- Codice costruttore:
- DMT36M1LPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)
0,218 €
(IVA esclusa)
0,266 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
---|---|---|
2500 + | 0,218 € | 545,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-6879
- Codice costruttore:
- DMT36M1LPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI5060-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È dotato di un eccellente prodotto Qgd xRDS(ON) (FOM) e di una tecnologia avanzata per la conversione c.c.-c.c.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 30 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Offre un fattore di forma termico ridotto e il contenitore efficiente consente prodotti finali a densità più elevata Occupa solo il 33% dell'area della scheda occupata da SO-8 consentendo prodotti finali più piccoli
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | P |
Corrente massima continuativa di drain | 9 A |
Tensione massima drain source | 30 V |
Tipo di package | PowerDI5060-8 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 8 |
Resistenza massima drain source | 0.025 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 2.5V |
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