MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 41 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 8 Pin, PowerDI5060-8, Superficie
- Codice RS:
- 254-8632
- Codice costruttore:
- DMP3021SPSW-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
452,50 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,181 € | 452,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 254-8632
- Codice costruttore:
- DMP3021SPSW-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Tipo di package | PowerDI5060-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 3.4 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Tipo di package PowerDI5060-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Altezza 0.85mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 3.4 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità di potenziamento del canale P DiodeZetex è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È applicabile nei convertitori c.c.-c.c.
Bassa resistenza all'accensione Bassa capacità di ingresso Senza alogeni e antimonio
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