Codice costruttore

MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 40 V, 0.014 Ω Miglioramento, 50 A, 8 Pin, PowerDI5060-8, Superficie

Codice RS:: 246-6852
Codice costruttore:: DMPH4015SPSQ-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 40 V, 0.014 Ω Miglioramento, 50 A, 8 Pin, PowerDI5060-8, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1725,00 €

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2100,00 €

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2500 +	0,69 €	1.725,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 246-6852
Codice costruttore:: DMPH4015SPSQ-13
Costruttore:: DiodesZetex

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	DiodesZetex
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	PowerDI5060-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.014Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.73W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	5.15mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.15mm
	Altezza	1mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio DiodesZetex
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package PowerDI5060-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.014Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 5.15mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.15mm
	Altezza 1mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - DMPH4015SPSQ-13

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore powerDI 5060-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha un valore nominale di +175 °C e è ideale per ambienti ad alta temperatura ambiente.

La tensione massima da drain a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±25 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo e ha un elevato valore nominale BVDSS per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso

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