MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 40 V, 0.014 Ω Miglioramento, 50 A, 8 Pin, PowerDI5060-8, Superficie DMPH4015SPSQ-13
- Codice RS:
- 246-7539
- Codice costruttore:
- DMPH4015SPSQ-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 246-7539
- Codice costruttore:
- DMPH4015SPSQ-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PowerDI5060-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.014Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 5.15 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PowerDI5060-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.014Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 5.15 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore powerDI 5060-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha un valore nominale di +175 °C e è ideale per ambienti ad alta temperatura ambiente.
La tensione massima da drain a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±25 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo e ha un elevato valore nominale BVDSS per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso
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