MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N, 0.005 Ω 40 V, PowerDI3333-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin DMT47M2LDVQ-13
- Codice RS:
- 246-7553
- Codice costruttore:
- DMT47M2LDVQ-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-7553
- Codice costruttore:
- DMT47M2LDVQ-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PowerDI3333-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.005Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.34W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PowerDI3333-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.005Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.34W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità potenziata a canale N, progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore powerDI 3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha un valore nominale di +175 °C e è ideale per ambienti ad alta temperatura ambiente. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drain a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo e ha un elevato valore nominale BVDSS per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso
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