MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 0.005 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Superficie DMTH43M8LFGQ-7
- Codice RS:
- 246-7565
- Codice costruttore:
- DMTH43M8LFGQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 246-7565
- Codice costruttore:
- DMTH43M8LFGQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PowerDI3333-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.005mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PowerDI3333-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.005mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET DiodesZetex è progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha un valore nominale di +175 °C e è ideale per ambienti ad alta temperatura ambiente. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drain a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V La sua bassa RDS(ON) aiuta a ridurre al minimo le perdite di potenza La sua bassa Qg aiuta a ridurre al minimo le perdite di commutazione
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