MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 0.005 Ω Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Superficie DMTH43M8LFGQ-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7564
Codice costruttore:
DMTH43M8LFGQ-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerDI3333-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.005Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità potenziata a canale N, progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore powerDI 3333-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha un valore nominale di +175 °C e è ideale per ambienti ad alta temperatura ambiente.

La tensione massima da drain a sorgente è di 40 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo e ha un elevato valore nominale BVDSS per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso

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