MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 0.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS159NH6906XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0549
Codice costruttore:
BSS159NH6906XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

0.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Serie

BSS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-499

Infineon rende il transistor MOSFET di piccolo segnale in modalità di esaurimento canale N ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. Si tratta di transistor a piccolo segnale SIPMOS. È dotato di valore nominale dv /dt, disponibile con indicatore V GS(th) sulla bobina. 100% senza piombo; Senza alogeni.

VDS è 60 V, RDS(on), max 8 Ω e IDSS, min è 0,13 A

Dissipazione di potenza massima di 360 mW

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