MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 0.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS159NH6906XTSA1
- Codice RS:
- 250-0549
- Codice Distrelec:
- 304-40-499
- Codice costruttore:
- BSS159NH6906XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 250-0549
- Codice Distrelec:
- 304-40-499
- Codice costruttore:
- BSS159NH6906XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 0.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | BSS | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 0.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie BSS | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon rende il transistor MOSFET di piccolo segnale in modalità di esaurimento canale N ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. Si tratta di transistor a piccolo segnale SIPMOS. È dotato di valore nominale dv /dt, disponibile con indicatore V GS(th) sulla bobina. 100% senza piombo; Senza alogeni.
VDS è 60 V, RDS(on), max 8 Ω e IDSS, min è 0,13 A
Dissipazione di potenza massima di 360 mW
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