MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-247, Superficie
- Codice RS:
- 250-0597
- Codice costruttore:
- IPW65R060CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
111,96 €
(IVA esclusa)
136,59 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 90 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,732 € | 111,96 € |
| 60 - 120 | 3,546 € | 106,38 € |
| 150 + | 3,396 € | 101,88 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 250-0597
- Codice costruttore:
- IPW65R060CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
L'Infineon 650V CoolMOS CFD7 amplia l'offerta di classi di tensione della famiglia CFD7 e rappresenta un successo rispetto al 650V CoolMOS CFD2. Grazie alle prestazioni di commutazione migliorate e all'eccellente comportamento termico. Offre la massima efficienza nelle topologie di commutazione risonante, come LLC e phase-shift-full-bridge (ZVS). Come parte del portafoglio di diodi con corpo rapido di Infineon, questa nuova serie di prodotti combina tutti i vantaggi di una tecnologia di commutazione rapida insieme a un'eccellente robustezza di commutazione rigida. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e affidabilità e supporta inoltre soluzioni ad alta densità di potenza.
Eccellente robustezza di commutazione rigida
Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione bus
Eccellente efficienza di carico leggero nelle applicazioni SMPS industriali
Migliore efficienza a pieno carico nelle applicazioni SMPS industriali
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPW65R060CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie ISP75DP06LMXTSA1
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie ISP25DP06LMXTSA1
