MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-247, Superficie IPW65R060CFD7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0598
Codice costruttore:
IPW65R060CFD7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-247

Serie

IPW

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

L'Infineon 650V CoolMOS CFD7 amplia l'offerta di classi di tensione della famiglia CFD7 e rappresenta un successo rispetto al 650V CoolMOS CFD2. Grazie alle prestazioni di commutazione migliorate e all'eccellente comportamento termico. Offre la massima efficienza nelle topologie di commutazione risonante, come LLC e phase-shift-full-bridge (ZVS). Come parte del portafoglio di diodi con corpo rapido di Infineon, questa nuova serie di prodotti combina tutti i vantaggi di una tecnologia di commutazione rapida insieme a un'eccellente robustezza di commutazione rigida. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e affidabilità e supporta inoltre soluzioni ad alta densità di potenza.

Eccellente robustezza di commutazione rigida

Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione bus

Eccellente efficienza di carico leggero nelle applicazioni SMPS industriali

Migliore efficienza a pieno carico nelle applicazioni SMPS industriali

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