MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.0149 Ω, 11.3 A, PowerPAK, Superficie
- Codice RS:
- 256-7434
- Codice costruttore:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
1179,00 €
(IVA esclusa)
1437,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,393 € | 1.179,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7434
- Codice costruttore:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0149Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0149Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il mosfet a canale N da 100 V (D-S) Vishay Semiconductor per applicazioni a bassissimo RDS x Qg (FOM), rettifica sincrona, interruttore laterale primario, c.c., convertitore c.c., microinverter solare, interruttore per azionamento motore, interruttore per batteria e carico, industriale.
MOSFET di potenza TrenchFET gen IV
RDS molto basso x valore di merito Qg (FOM)
Sintonizzazione per la più bassa RDS x Qoss FOM
Testato al 100% Rg e UIS
Link consigliati
- MOSFET Vishay 0.0149 Ω PowerPAK, Superficie SISS42LDN-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.0149 Ω PowerPAIR, Superficie
- MOSFET Vishay 0.0149 Ω PowerPAIR, Superficie SIZ918DT-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.0149 Ω PowerPAIR 3 x 3S, Superficie
- MOSFET Vishay 0.0149 Ω PowerPAK 1212-8, Superficie
- MOSFET Vishay 0.0149 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.0149 Ω PowerPAIR 3 x 3S, Superficie SIZ260DT-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0 66 PowerPak 1212-8S, Montaggio superficiale
