MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.0149 Ω, 11.3 A, PowerPAK, Superficie SISS42LDN-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

8,59 €

(IVA esclusa)

10,48 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 5970 unità in spedizione dal 30 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,718 €8,59 €
50 - 951,664 €8,32 €
100 - 2451,404 €7,02 €
250 - 9951,38 €6,90 €
1000 +1,004 €5,02 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7435
Codice costruttore:
SISS42LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0149Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il mosfet a canale N da 100 V (D-S) Vishay Semiconductor per applicazioni a bassissimo RDS x Qg (FOM), rettifica sincrona, interruttore laterale primario, c.c., convertitore c.c., microinverter solare, interruttore per azionamento motore, interruttore per batteria e carico, industriale.

MOSFET di potenza TrenchFET gen IV

RDS molto basso x valore di merito Qg (FOM)

Sintonizzazione per la più bassa RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati