MOSFET Infineon, canale N 200 V, 20 mΩ Miglioramento, 76 A, TO-220, Montaggio su circuito stampato IRFB4127PBF
- Codice RS:
- 257-5807
- Codice costruttore:
- IRFB4127PBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
13,33 €
(IVA esclusa)
16,26 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 790 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,665 € | 13,33 € |
| 20 - 48 | 5,79 € | 11,58 € |
| 50 - 98 | 5,395 € | 10,79 € |
| 100 - 198 | 5,00 € | 10,00 € |
| 200 + | 4,665 € | 9,33 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-5807
- Codice costruttore:
- IRFB4127PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 76A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 76A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 200 V, dissipazione di potenza massima 375 W - IRFB4127PBF
Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione in modalità di potenziamento progettato per il montaggio su circuito stampato in un contenitore TO-220. È progettato per attività di commutazione e controllo di potenza in cui sono richieste una gestione della corrente e una capacità termica notevoli, e funziona in un ampio intervallo di temperature industriali, rispettando le restrizioni RoHS.
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 20 mΩ che consente di ridurre le perdite di conduzione
• Corrente di drenaggio continua di 76 A che supporta la commutazione ad alto carico
• Valore nominale drain-source di 200 V che consente applicazioni ad alta tensione
• Dissipazione di potenza 375 W che migliora l'intervallo termico
• Tensione diretta di 1,3 V che riduce al minimo la caduta dell'azionamento del gate
• Corrente di drenaggio continua di 76 A che supporta la commutazione ad alto carico
• Valore nominale drain-source di 200 V che consente applicazioni ad alta tensione
• Dissipazione di potenza 375 W che migliora l'intervallo termico
• Tensione diretta di 1,3 V che riduce al minimo la caduta dell'azionamento del gate
Applicazioni
• Adatto per la commutazione dell'alimentazione in sistemi industriali
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una gestione ad alta corrente
• Ideale per i convertitori CC-CC nelle guide ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione dello stadio inverter su circuiti stampati
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una gestione ad alta corrente
• Ideale per i convertitori CC-CC nelle guide ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione dello stadio inverter su circuiti stampati
Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati?
La tensione da gate a sorgente non deve superare 20 V per evitare di danneggiare il dielettrico del gate.
Quale intervallo di temperatura è in grado di sopportare durante il funzionamento?
È specificato per funzionare tra -55 °C e 175 °C per un ampio uso industriale.
Il dispositivo è adatto per il montaggio superficiale su schede elettroniche?
È progettato per il montaggio su circuito stampato in un contenitore TO-220 a foro passante per un fissaggio termico e meccanico sicuro.
È conforme alle restrizioni ambientali sui materiali?
Il componente è conforme alla direttiva RoHS e soddisfa le restrizioni richieste sulle sostanze pericolose.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 20 mΩ TO-220, Montaggio su circuito stampato
- MOSFET Infineon 170 mΩ TO-220, Foro passante
- MOSFET Infineon 15 mΩ TO-220, Foro passante
- MOSFET Infineon 170 mΩ TO-220, Foro passante IRF200B211
- MOSFET Infineon 15 mΩ TO-220, Foro passante IRFB4620PBF
- MOSFET Infineon 200 V 9.1 A TO-220, Superficie
- MOSFET Infineon 200 V 9.1 A TO-220, Superficie IRFI4020H-117PXKMA1
- MOSFET Infineon 150 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante