MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 20 mΩ, 76 A, TO-220, Montaggio su circuito stampato IRFB4127PBF
- Codice RS:
- 257-5807
- Codice costruttore:
- IRFB4127PBF
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-5807
- Codice costruttore:
- IRFB4127PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 76A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 76A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strongIRFET è ottimizzata per bassi RDS e capacità di corrente elevata. Ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il catalogo completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.
Contenitore di alimentazione a foro passante standard industriale
Corrente nominale elevata
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni con commutazione sotto i <100 kHz
Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Ampio portafoglio disponibile
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