MOSFET Infineon, canale N 200 V, 20 mΩ Miglioramento, 76 A, TO-220, Montaggio su circuito stampato

Codice RS:: 257-5514
Codice costruttore:: IRFB4127PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 200 V, 20 mΩ Miglioramento, 76 A, TO-220, Montaggio su circuito stampato

Prezzo per 1 tubo da 100 unità*

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Codice RS:: 257-5514
Codice costruttore:: IRFB4127PBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	76A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	200V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Montaggio su circuito stampato
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	20mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	375W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 76A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V
	Tipo di package TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 375W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRFB4127PBF

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 200 V, dissipazione di potenza massima 375 W - IRFB4127PBF

Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione in modalità di potenziamento progettato per il montaggio su circuito stampato in un contenitore TO-220. È progettato per attività di commutazione e controllo di potenza in cui sono richieste una gestione della corrente e una capacità termica notevoli, e funziona in un ampio intervallo di temperature industriali, rispettando le restrizioni RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) di 20 mΩ che consente di ridurre le perdite di conduzione
• Corrente di drenaggio continua di 76 A che supporta la commutazione ad alto carico
• Valore nominale drain-source di 200 V che consente applicazioni ad alta tensione
• Dissipazione di potenza 375 W che migliora l'intervallo termico
• Tensione diretta di 1,3 V che riduce al minimo la caduta dell'azionamento del gate

Applicazioni

• Adatto per la commutazione dell'alimentazione in sistemi industriali
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una gestione ad alta corrente
• Ideale per i convertitori CC-CC nelle guide ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione dello stadio inverter su circuiti stampati

Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati?

La tensione da gate a sorgente non deve superare 20 V per evitare di danneggiare il dielettrico del gate.

Quale intervallo di temperatura è in grado di sopportare durante il funzionamento?

È specificato per funzionare tra -55 °C e 175 °C per un ampio uso industriale.

Il dispositivo è adatto per il montaggio superficiale su schede elettroniche?

È progettato per il montaggio su circuito stampato in un contenitore TO-220 a foro passante per un fissaggio termico e meccanico sicuro.

È conforme alle restrizioni ambientali sui materiali?

Il componente è conforme alla direttiva RoHS e soddisfa le restrizioni richieste sulle sostanze pericolose.