MOSFET Infineon, canale N 200 V, 73 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 688-6973
- Codice costruttore:
- IRFB5620PBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,525 € | 5,05 € |
| 20 - 48 | 2,175 € | 4,35 € |
| 50 - 98 | 2,02 € | 4,04 € |
| 100 - 198 | 1,89 € | 3,78 € |
| 200 + | 1,735 € | 3,47 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 688-6973
- Codice costruttore:
- IRFB5620PBF
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 25A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 73mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 14W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 25A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 73mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 14W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.02mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 200 V, corrente di drenaggio continua massima di 25 A - IRFB5620PBF
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 25 A consente una gestione robusta del carico
• L'Rds(on) di 73 mΩ riduce le perdite di conduzione nei circuiti di potenza
• La carica gate di 25 nC consente velocità di commutazione controllate
• La dissipazione di potenza di 14 W consente un carico termico moderato
• La tolleranza del gate fino a 20 V protegge contro gli eventi di overdrive
Applicazioni
• Ideale per alimentatori switching nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato per la commutazione a gamba dell'inverter nella conversione di potenza
• Può essere utilizzato per gli stadi di uscita dell'amplificatore audio
• Adatto per la commutazione di potenza per impieghi generali su schede a foro passante
Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?
In che modo il pacchetto influisce sul montaggio e sulla gestione termica?
Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati durante l'azionamento?
In che modo il tipo di canale influisce sulla progettazione dei circuiti?
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