MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 73 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
688-6973
Codice costruttore:
IRFB5620PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

73mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

14W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.02mm

Larghezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

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