MOSFET Infineon, canale N 200 V, 73 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFB5620PBF

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Codice RS:
124-9009
Codice costruttore:
IRFB5620PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

73mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

14W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.02mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 200 V, corrente di drenaggio continua massima di 25 A - IRFB5620PBF


Questo MOSFET è un interruttore a semiconduttore ad alta tensione a canale N progettato per applicazioni di alimentazione a foro passante. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento adatto per attività di commutazione e amplificazione in ambienti difficili, ed è alloggiato in un contenitore TO-220 per un montaggio semplice e dissipazione del calore.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione di drenaggio di 200 V supporta la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 25 A consente una gestione robusta del carico
• L'Rds(on) di 73 mΩ riduce le perdite di conduzione nei circuiti di potenza
• La carica gate di 25 nC consente velocità di commutazione controllate
• La dissipazione di potenza di 14 W consente un carico termico moderato
• La tolleranza del gate fino a 20 V protegge contro gli eventi di overdrive

Applicazioni


• Adatto per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Ideale per alimentatori switching nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato per la commutazione a gamba dell'inverter nella conversione di potenza
• Può essere utilizzato per gli stadi di uscita dell'amplificatore audio
• Adatto per la commutazione di potenza per impieghi generali su schede a foro passante

Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso su intervalli termici estesi.

In che modo il pacchetto influisce sul montaggio e sulla gestione termica?


Il contenitore a foro passante TO-220 semplifica il fissaggio a dissipatori e schede a circuito stampato per un'efficace dissipazione del calore.

Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati durante l'azionamento?


La tensione nominale massima da gate a sorgente è di 20 V, pertanto i driver gate devono rimanere entro questa soglia.

In che modo il tipo di canale influisce sulla progettazione dei circuiti?


Essendo un dispositivo in modalità di potenziamento a canale N, richiede una tensione di sorgente gate positiva per condurre, che si adatta alle topologie di interruttori low-side e high-side se azionati in modo appropriato.

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