MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3 mΩ Miglioramento, 200 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 145-9602
Codice costruttore:: IRL1404ZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3 mΩ Miglioramento, 200 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:: 145-9602
Codice costruttore:: IRL1404ZPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	200A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	230W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	16V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	75nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	4.4mm
	Altezza	8.77mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.66mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 200A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 230W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 75nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 4.4mm
	Altezza 8.77mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.66mm
	Standard automobilistico No

Esente

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 200 A, dissipazione di potenza massima di 230 W - IRL1404ZPBF

Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni ad alta efficienza in diverse applicazioni, in particolare nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettrotecnica. Garantisce un funzionamento affidabile in condizioni estreme, un aspetto cruciale per i sistemi elettronici avanzati. Il suo design robusto lo rende l'opzione preferita dai tecnici che cercano di ottimizzare le soluzioni di gestione dell'alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi

• In grado di gestire correnti di drenaggio continue fino a 200A

• La bassa resistenza di drain-source aumenta l'efficienza

• Adatto a velocità di commutazione elevate per ridurre le perdite di energia

• Funziona in un ampio intervallo di temperatura da -55°C a +175°C

• Offre una tensione di soglia massima del gate di 2,7V per la compatibilità

• Progettato in un contenitore TO-220 a foro passante per un semplice montaggio

Applicazioni

• Utilizzato in amplificatori e convertitori di potenza

• Impiegato negli alimentatori switching DC-DC

• Integrato nel circuito di controllo del motore

• Ideale per il settore automobilistico e le energie rinnovabili

Qual è la tensione massima che questo componente può gestire?

Può gestire una tensione massima drain-source di 40V.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?

Una tensione di soglia del gate di 2,7 V assicura un'attivazione efficiente del dispositivo, consentendo un controllo accurato.

Questo componente può essere utilizzato in ambienti ad alta temperatura?

Sì, è classificato per il funzionamento fino a +175°C, il che lo rende adatto ad applicazioni intense.

Qual è il significato di una bassa resistenza drain-source?

La bassa resistenza riduce al minimo le perdite di potenza, migliorando così l'efficienza complessiva del sistema, soprattutto con carichi di corrente elevati.

MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon

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