MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3 mΩ Miglioramento, 200 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
145-9602
Codice costruttore:
IRL1404ZPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

200A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

75nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.4 mm

Altezza

8.77mm

Lunghezza

10.66mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Esente

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 200 A, dissipazione di potenza massima di 230 W - IRL1404ZPBF


Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni ad alta efficienza in diverse applicazioni, in particolare nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettrotecnica. Garantisce un funzionamento affidabile in condizioni estreme, un aspetto cruciale per i sistemi elettronici avanzati. Il suo design robusto lo rende l'opzione preferita dai tecnici che cercano di ottimizzare le soluzioni di gestione dell'alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi


• In grado di gestire correnti di drenaggio continue fino a 200A

• La bassa resistenza di drain-source aumenta l'efficienza

• Adatto a velocità di commutazione elevate per ridurre le perdite di energia

• Funziona in un ampio intervallo di temperatura da -55°C a +175°C

• Offre una tensione di soglia massima del gate di 2,7V per la compatibilità

• Progettato in un contenitore TO-220 a foro passante per un semplice montaggio

Applicazioni


• Utilizzato in amplificatori e convertitori di potenza

• Impiegato negli alimentatori switching DC-DC

• Integrato nel circuito di controllo del motore

• Ideale per il settore automobilistico e le energie rinnovabili

Qual è la tensione massima che questo componente può gestire?


Può gestire una tensione massima drain-source di 40V.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?


Una tensione di soglia del gate di 2,7 V assicura un'attivazione efficiente del dispositivo, consentendo un controllo accurato.

Questo componente può essere utilizzato in ambienti ad alta temperatura?


Sì, è classificato per il funzionamento fino a +175°C, il che lo rende adatto ad applicazioni intense.

Qual è il significato di una bassa resistenza drain-source?


La bassa resistenza riduce al minimo le perdite di potenza, migliorando così l'efficienza complessiva del sistema, soprattutto con carichi di corrente elevati.

MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon


MOSFET per controllo di motori


Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.

MOSFET raddrizzatore sincrono


La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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