MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3 mΩ Miglioramento, 200 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

92,35 €

(IVA esclusa)

112,65 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 150 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 501,847 €92,35 €
100 - 2001,459 €72,95 €
250 - 4501,367 €68,35 €
500 - 9501,274 €63,70 €
1000 +1,182 €59,10 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
145-9602
Codice costruttore:
IRL1404ZPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

200A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

75nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.4 mm

Altezza

8.77mm

Lunghezza

10.66mm

Standard automobilistico

No

Esente

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 200 A, dissipazione di potenza massima di 230 W - IRL1404ZPBF


Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni ad alta efficienza in diverse applicazioni, in particolare nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettrotecnica. Garantisce un funzionamento affidabile in condizioni estreme, un aspetto cruciale per i sistemi elettronici avanzati. Il suo design robusto lo rende l'opzione preferita dai tecnici che cercano di ottimizzare le soluzioni di gestione dell'alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi


• In grado di gestire correnti di drenaggio continue fino a 200A

• La bassa resistenza di drain-source aumenta l'efficienza

• Adatto a velocità di commutazione elevate per ridurre le perdite di energia

• Funziona in un ampio intervallo di temperatura da -55°C a +175°C

• Offre una tensione di soglia massima del gate di 2,7V per la compatibilità

• Progettato in un contenitore TO-220 a foro passante per un semplice montaggio

Applicazioni


• Utilizzato in amplificatori e convertitori di potenza

• Impiegato negli alimentatori switching DC-DC

• Integrato nel circuito di controllo del motore

• Ideale per il settore automobilistico e le energie rinnovabili

Qual è la tensione massima che questo componente può gestire?


Può gestire una tensione massima drain-source di 40V.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?


Una tensione di soglia del gate di 2,7 V assicura un'attivazione efficiente del dispositivo, consentendo un controllo accurato.

Questo componente può essere utilizzato in ambienti ad alta temperatura?


Sì, è classificato per il funzionamento fino a +175°C, il che lo rende adatto ad applicazioni intense.

Qual è il significato di una bassa resistenza drain-source?


La bassa resistenza riduce al minimo le perdite di potenza, migliorando così l'efficienza complessiva del sistema, soprattutto con carichi di corrente elevati.

MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon


MOSFET per controllo di motori


Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.

MOSFET raddrizzatore sincrono


La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati