MOSFET Infineon, canale N, 200 mΩ, 9,7 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 919-4876
Codice costruttore:: IRF520NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 200 mΩ, 9,7 A, TO-220AB, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

0,484 €

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0,59 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 - 50	0,484 €	24,20 €
100 - 200	0,401 €	20,05 €
250 - 450	0,377 €	18,85 €
500 - 1200	0,348 €	17,40 €
1250 +	0,324 €	16,20 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4876
Codice costruttore:: IRF520NPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9,7 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	200 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	48 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.69mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.54mm
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 200 mΩ, 9,7 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

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