MOSFET Infineon, canale N, 200 mΩ, 9,7 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 919-4876
Codice costruttore:: IRF520NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 200 mΩ, 9,7 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 919-4876
Codice costruttore:: IRF520NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 9,7 A, dissipazione di potenza massima di 48 W - IRF520NPBF

Questo MOSFET utilizza l'avanzata tecnologia HEXFET per fornire prestazioni elevate per varie applicazioni. Con una corrente di drenaggio continua di 9,7A e una tensione massima drain-source di 100V, è un componente adatto ai circuiti elettronici. Il suo design in modalità enhancement garantisce un funzionamento efficiente in diversi ambienti, rendendolo una scelta pratica per i professionisti dei settori dell'automazione e dell'elettronica.

Caratteristiche e vantaggi

• L'elevata capacità di corrente di 9,7A migliora le prestazioni
• Il design robusto garantisce la funzionalità in condizioni estreme
• La bassa resistenza di accensione, pari a 200mΩ, riduce al minimo le perdite di potenza
• Le funzionalità di commutazione rapida migliorano l'efficienza
• Compatibile con la confezione TO-220AB per una semplice installazione

Applicazioni

• Gestione dell'alimentazione nei sistemi di automazione
• Commutazione nei circuiti elettrici
• Circuiti di azionamento del motore per una maggiore efficienza
• Alta frequenza in elettronica

Qual è l'impatto della bassa resistenza di accensione sulle prestazioni?

La bassa resistenza di accensione riduce la generazione di calore e aumenta l'efficienza, migliorando le prestazioni complessive nelle applicazioni di potenza e riducendo al minimo le perdite di energia.

Qual è il significato dell'intervallo di temperatura?

L'ampia gamma di temperature operative garantisce prestazioni costanti in vari ambienti, adattandosi efficacemente ad applicazioni ad alta e bassa temperatura.

Questo componente è in grado di gestire brevi impulsi di corrente più elevata?

Sì, può gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 38A, rendendolo adatto a condizioni transitorie nei circuiti elettronici.

Quali sono le considerazioni da fare durante l'installazione?

Assicurare un dissipatore adeguato, come specificato nella scheda tecnica, per gestire efficacemente la dissipazione del calore durante il funzionamento, in particolare in condizioni di carico elevato.

Come si comporta il dispositivo in condizioni di commutazione rapida?

La sua rapida velocità di commutazione favorisce un funzionamento efficiente nelle applicazioni che richiedono tempi di risposta rapidi, rendendolo una scelta versatile per i moderni progetti elettronici.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9,7 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	200 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	48 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.54mm
Larghezza	4.69mm
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C