MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 400 mΩ Miglioramento, 9.7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SPD09P06PLGBTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9074
Codice costruttore:
SPD09P06PLGBTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

9.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non applicabile

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®


I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS® dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in drain continua, come ad esempio corrente a -80 A oltre a un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Il transistor di potenza SIPMOS può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, eMobility, notebook, dispositivi c.c./c.c. e il settore automobilistico.

· Qualifica AEC Q101 (si prega di fare riferimento alla scheda tecnica)

· Placcatura senza piombo; conformità RoHS

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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