MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 200 mΩ Miglioramento, 9.7 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF520NSTRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
831-2821
Codice costruttore:
IRF520NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.65 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 9,7 A, dissipazione di potenza massima di 48 W - IRF520NSTRLPBF


Questo MOSFET è progettato per una commutazione e un'amplificazione efficienti in varie applicazioni. La sua elevata capacità di gestione della potenza offre versatilità nei settori dell'automazione e dell'elettronica. Grazie alla tecnologia di processo avanzata, questo dispositivo garantisce prestazioni e affidabilità, rendendolo adatto agli ambienti operativi. Le caratteristiche di questo MOSFET migliorano notevolmente le prestazioni del circuito.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa resistenza all'accensione contribuisce a migliorare l'efficienza energetica

• L'elevata corrente di drenaggio, pari a 9,7A, favorisce prestazioni robuste

• La tensione massima di drain-source di 100 V offre flessibilità applicativa

• La modalità di potenziamento consente efficaci capacità di commutazione

• Il design a montaggio superficiale consente di realizzare layout di PCB compatti

Applicazioni


• Impiegato nei sistemi di gestione della potenza per la conversione dell'energia

• Adatto ai controlli di automazione che richiedono una commutazione rapida

• Applicato nei circuiti di controllo dei motori per la precisione

• Utilizzato nei sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari

• Utilizzato negli amplificatori audio per migliorare la qualità del suono

Quale tipo di montaggio è adatto a questo dispositivo?


Questo componente presenta un design a montaggio superficiale, che lo rende compatibile con i processi di assemblaggio automatico di PCB e ideale per i layout ad alta densità.

È in grado di gestire temperature elevate durante il funzionamento?


Sì, ha una temperatura operativa massima di +175°C, che lo rende adatto agli ambienti più difficili senza compromettere le prestazioni.

È adatto alle applicazioni che richiedono una commutazione rapida?


Sì, la sua rapida velocità di commutazione migliora le prestazioni in applicazioni come i convertitori PWM e DC-DC.

Qual è la caratteristica di induttanza di questo dispositivo?


L'induttanza di drain interna è tipicamente di 4,5nH e contribuisce al suo funzionamento reattivo.

Come viene gestita la dissipazione di potenza in questo MOSFET?


Consente una dissipazione di potenza massima di 48W, garantendo stabilità termica e prestazioni efficaci in vari circuiti.

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