MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 200 mΩ Miglioramento, 9.7 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF520NPBF
- Codice RS:
- 541-1180
- Codice Distrelec:
- 303-41-279
- Codice costruttore:
- IRF520NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 541-1180
- Codice Distrelec:
- 303-41-279
- Codice costruttore:
- IRF520NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 200mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 48W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Larghezza | 4.69 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 200mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 48W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Altezza 8.77mm | ||
Larghezza 4.69 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 9,7 A, dissipazione di potenza massima di 48 W - IRF520NPBF
Questo MOSFET utilizza l'avanzata tecnologia HEXFET per fornire prestazioni elevate per varie applicazioni. Con una corrente di drenaggio continua di 9,7A e una tensione massima drain-source di 100V, è un componente adatto ai circuiti elettronici. Il suo design in modalità enhancement garantisce un funzionamento efficiente in diversi ambienti, rendendolo una scelta pratica per i professionisti dei settori dell'automazione e dell'elettronica.
Caratteristiche e vantaggi
• L'elevata capacità di corrente di 9,7A migliora le prestazioni
• Il design robusto garantisce la funzionalità in condizioni estreme
• La bassa resistenza di accensione, pari a 200mΩ, riduce al minimo le perdite di potenza
• Le funzionalità di commutazione rapida migliorano l'efficienza
• Compatibile con la confezione TO-220AB per una semplice installazione
Applicazioni
• Gestione dell'alimentazione nei sistemi di automazione
• Commutazione nei circuiti elettrici
• Circuiti di azionamento del motore per una maggiore efficienza
• Alta frequenza in elettronica
Qual è l'impatto della bassa resistenza di accensione sulle prestazioni?
La bassa resistenza di accensione riduce la generazione di calore e aumenta l'efficienza, migliorando le prestazioni complessive nelle applicazioni di potenza e riducendo al minimo le perdite di energia.
Qual è il significato dell'intervallo di temperatura?
L'ampia gamma di temperature operative garantisce prestazioni costanti in vari ambienti, adattandosi efficacemente ad applicazioni ad alta e bassa temperatura.
Questo componente è in grado di gestire brevi impulsi di corrente più elevata?
Sì, può gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 38A, rendendolo adatto a condizioni transitorie nei circuiti elettronici.
Quali sono le considerazioni da fare durante l'installazione?
Assicurare un dissipatore adeguato, come specificato nella scheda tecnica, per gestire efficacemente la dissipazione del calore durante il funzionamento, in particolare in condizioni di carico elevato.
Come si comporta il dispositivo in condizioni di commutazione rapida?
La sua rapida velocità di commutazione favorisce un funzionamento efficiente nelle applicazioni che richiedono tempi di risposta rapidi, rendendolo una scelta versatile per i moderni progetti elettronici.