MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3 mΩ Miglioramento, 200 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRL1404ZPBF

Codice RS:: 688-7178
Codice costruttore:: IRL1404ZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3 mΩ Miglioramento, 200 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRL1404ZPBF

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Codice RS:: 688-7178
Codice costruttore:: IRL1404ZPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	200A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	75nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	230W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	16 V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	4.4 mm
	Altezza	8.77mm
	Lunghezza	10.66mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 200A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 75nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 230W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 4.4 mm
	Altezza 8.77mm
	Lunghezza 10.66mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Esente

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 200 A, dissipazione di potenza massima di 230 W - IRL1404ZPBF

Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni ad alta efficienza in diverse applicazioni, in particolare nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettrotecnica. Garantisce un funzionamento affidabile in condizioni estreme, un aspetto cruciale per i sistemi elettronici avanzati. Il suo design robusto lo rende l'opzione preferita dai tecnici che cercano di ottimizzare le soluzioni di gestione dell'alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi

• In grado di gestire correnti di drenaggio continue fino a 200A

• La bassa resistenza di drain-source aumenta l'efficienza

• Adatto a velocità di commutazione elevate per ridurre le perdite di energia

• Funziona in un ampio intervallo di temperatura da -55°C a +175°C

• Offre una tensione di soglia massima del gate di 2,7V per la compatibilità

• Progettato in un contenitore TO-220 a foro passante per un semplice montaggio

Applicazioni

• Utilizzato in amplificatori e convertitori di potenza

• Impiegato negli alimentatori switching DC-DC

• Integrato nel circuito di controllo del motore

• Ideale per il settore automobilistico e le energie rinnovabili

Qual è la tensione massima che questo componente può gestire?

Può gestire una tensione massima drain-source di 40V.

Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?

Una tensione di soglia del gate di 2,7 V assicura un'attivazione efficiente del dispositivo, consentendo un controllo accurato.

Questo componente può essere utilizzato in ambienti ad alta temperatura?

Sì, è classificato per il funzionamento fino a +175°C, il che lo rende adatto ad applicazioni intense.

Qual è il significato di una bassa resistenza drain-source?

La bassa resistenza riduce al minimo le perdite di potenza, migliorando così l'efficienza complessiva del sistema, soprattutto con carichi di corrente elevati.

MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon

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Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.

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La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.