MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3 mΩ Miglioramento, 200 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRL1404ZPBF
- Codice RS:
- 688-7178
- Codice costruttore:
- IRL1404ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 688-7178
- Codice costruttore:
- IRL1404ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 200A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 75nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 230W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Lunghezza | 10.66mm | |
| Larghezza | 4.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 200A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 75nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 230W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 8.77mm | ||
Lunghezza 10.66mm | ||
Larghezza 4.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Esente
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 200 A, dissipazione di potenza massima di 230 W - IRL1404ZPBF
Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni ad alta efficienza in diverse applicazioni, in particolare nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettrotecnica. Garantisce un funzionamento affidabile in condizioni estreme, un aspetto cruciale per i sistemi elettronici avanzati. Il suo design robusto lo rende l'opzione preferita dai tecnici che cercano di ottimizzare le soluzioni di gestione dell'alimentazione.
Caratteristiche e vantaggi
• In grado di gestire correnti di drenaggio continue fino a 200A
• La bassa resistenza di drain-source aumenta l'efficienza
• Adatto a velocità di commutazione elevate per ridurre le perdite di energia
• Funziona in un ampio intervallo di temperatura da -55°C a +175°C
• Offre una tensione di soglia massima del gate di 2,7V per la compatibilità
• Progettato in un contenitore TO-220 a foro passante per un semplice montaggio
Applicazioni
• Utilizzato in amplificatori e convertitori di potenza
• Impiegato negli alimentatori switching DC-DC
• Integrato nel circuito di controllo del motore
• Ideale per il settore automobilistico e le energie rinnovabili
Qual è la tensione massima che questo componente può gestire?
Può gestire una tensione massima drain-source di 40V.
Come influisce la tensione di soglia del gate sul funzionamento?
Una tensione di soglia del gate di 2,7 V assicura un'attivazione efficiente del dispositivo, consentendo un controllo accurato.
Questo componente può essere utilizzato in ambienti ad alta temperatura?
Sì, è classificato per il funzionamento fino a +175°C, il che lo rende adatto ad applicazioni intense.
Qual è il significato di una bassa resistenza drain-source?
La bassa resistenza riduce al minimo le perdite di potenza, migliorando così l'efficienza complessiva del sistema, soprattutto con carichi di corrente elevati.
MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon
MOSFET per controllo di motori
Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.
MOSFET raddrizzatore sincrono
La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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