MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 200 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 200 A, TO-220, Su foro
Brand: Infineon
SKU: 688-7178
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.7V
Tensione di soglia gate minima	1.4V
Dissipazione di potenza massima	230 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	75 nC a 5 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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