MOSFET Infineon 200 V, 80 mΩ, 9.1 A, 5 Pin, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 258-3975
- Codice costruttore:
- IRFI4020H-117PXKMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3975
- Codice costruttore:
- IRFI4020H-117PXKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La famiglia di MOSFET di potenza Infineon StrongIRFET è ottimizzata per bassa RDS(on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.
MOSFET a canale N doppio
Elevata densità di potenza
Design integrato
Risparmio sulla scheda
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