MOSFET Infineon, canale N 55 V, 9.1 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP80N06S209AKSA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3071
Codice costruttore:
IPP80N06S209AKSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-220

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.36mm

Altezza

9.45mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.57mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale N per uso automobilistico Infineon da 55 V. Questo MOSFET è utilizzato nel controllo di valvole, solenoidi, illuminazione, motori a terminazione singola, ecc.

Canale N - modalità potenziata

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Testato al 100% con effetto valanga

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