MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 9.1 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP80N06S209AKSA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3071
Codice costruttore:
IPP80N06S209AKSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.45mm

Lunghezza

10.36mm

Larghezza

4.57mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale N per uso automobilistico Infineon da 55 V. Questo MOSFET è utilizzato nel controllo di valvole, solenoidi, illuminazione, motori a terminazione singola, ecc.

Canale N - modalità potenziata

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Testato al 100% con effetto valanga

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