MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 72.50 mΩ Miglioramento, 11 A, 5 Pin, TO-220, Superficie

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Codice RS:
258-3977
Codice costruttore:
IRFI4212H-117PXKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

72.50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 100 V, corrente di drenaggio continua massima 11 A - IRFI4212H-117PXKMA1


Questo MOSFET a canale n è un transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione e l'amplificazione nei sistemi elettronici industriali. Funziona in un ampio intervallo di temperature e è conforme ai limiti ambientali RoHS, il che lo rende adatto per installazioni che richiedono componenti senza piombo e ampia tolleranza termica.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza all'accensione riduce le perdite di conduzione
• La tensione nominale elevata supporta le guide di alimentazione rialzate
• La carica di gate moderata consente transizioni di commutazione più veloci
• Il pacchetto a cinque terminali semplifica il montaggio e i collegamenti
• L'ampia capacità di temperatura mantiene il funzionamento in condizioni estreme

Applicazioni


• Adatto per i moduli di conversione di potenza nelle apparecchiature industriali
• Ideale per gli stadi di commutazione dell'azionamento del motore che richiedono una corrente di 11 A
• Utilizzato con configurazioni di interruttori ad alta tensione fino a 100 V
• Adatto per assemblaggi che richiedono un contenitore TO‐220 a montaggio superficiale
• Utilizzato per ambienti sottoposti a stress termico da -55 °C a 150 °C

Qual è la polarità del canale?


Utilizza una modalità di potenziamento a canale N per la conduzione di elettroni.

In che modo la richiesta di gate‐drive influisce sulla commutazione?


La carica tipica del gate è di 12 nC alla tensione nominale del gate, influenzando le dimensioni del driver e la velocità di commutazione.

Quali sollecitazioni elettriche può sopportare il dispositivo tra lo scarico e la sorgente?


Ha una tensione nominale di 100 V tra il drenaggio e la sorgente nelle condizioni massime specificate.

Quale contenitore e metodo di montaggio sono forniti?


Viene fornito in un contenitore TO‐220 progettato per il montaggio superficiale.

Quale caratteristica di limitazione definisce l'efficienza di conduzione?


La resistenza massima all'accensione drain-source è di 72,50 mΩ, influenzando le perdite di conduzione ad alta corrente.

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