MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 4.3 mΩ, 192 A, TO-220, Foro passante IRF100B201
- Codice RS:
- 257-9266
- Codice Distrelec:
- 304-40-512
- Codice costruttore:
- IRF100B201
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,825 € | 3,65 € |
| 20 - 48 | 1,44 € | 2,88 € |
| 50 - 98 | 1,35 € | 2,70 € |
| 100 - 198 | 1,26 € | 2,52 € |
| 200 + | 1,165 € | 2,33 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9266
- Codice Distrelec:
- 304-40-512
- Codice costruttore:
- IRF100B201
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 192A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.3mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 192A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.3mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRF di Infineon è la potente famiglia di mosfet di potenza IRFET ottimizzata per bassa RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza.
Contenitore di alimentazione a foro passante standard industriale
Corrente nominale elevata
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Ampio portafoglio disponibile
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