MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.009 Ω, 100 A, 4 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 257-9269
- Codice costruttore:
- IRF1104PBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,982 € | 49,10 € |
| 100 - 200 | 0,863 € | 43,15 € |
| 250 - 450 | 0,84 € | 42,00 € |
| 500 - 1200 | 0,819 € | 40,95 € |
| 1250 + | 0,798 € | 39,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9269
- Codice costruttore:
- IRF1104PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.009Ω | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 93nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.009Ω | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 93nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRF Infineon è un mosfet di potenza a canale n singolo da 40 V in un contenitore TO 220.
Struttura della cella planare per un'ampia SOA
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale
Corrente nominale elevata