MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3.5 mΩ, 100 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IRFH5302TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-9373
Codice costruttore:
IRFH5302TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6 mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

La serie IRFH Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n singolo da 30 V in un contenitore PQFN 5x6. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Ampio portafoglio disponibile

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