MOSFET Infineon, canale N 30 V, 3.5 mΩ, 100 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IRFH5302TRPBF

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

10,51 €

(IVA esclusa)

12,82 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3985 unità in spedizione dal 19 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,102 €10,51 €
50 - 1201,842 €9,21 €
125 - 2451,718 €8,59 €
250 - 4951,598 €7,99 €
500 +1,176 €5,88 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-9373
Codice costruttore:
IRFH5302TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

La serie IRFH Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n singolo da 30 V in un contenitore PQFN 5x6. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Ampio portafoglio disponibile

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.