MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3.5 mΩ, 100 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Codice RS:: 257-9372
Codice costruttore:: IRFH5302TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3.5 mΩ, 100 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

1764,00 €

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4000 +	0,441 €	1.764,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 257-9372
Codice costruttore:: IRFH5302TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	PQFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.5mΩ
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	100W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	29nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Larghezza	6 mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie HEXFET
	Tipo di package PQFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5mΩ
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 100W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 29nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Larghezza 6 mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRFH5302TRPBF

La serie IRFH Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale n singolo da 30 V in un contenitore PQFN 5x6. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Ampio portafoglio disponibile

MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3.5 mΩ, 100 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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